上海集成电路2024年度产业发展论坛暨中国集成电路设计业展览会将于2024年12月11-12日在上海世博展览馆隆重召开。全球领先的综合电子元器件制造商村田中国（以下简称“村田”）携包括集成元器件在内的各类小型化高品质产品首次亮相大会。以“创新集成，助力智造新发展”为主题，围绕高性能AI的未来发展，村田将在活动现场同行业伙伴共话行业热点与趋势。现场村田工程师还将带来主题演讲，从全方位展示其秉持匠心精神，致力赋能行业加速创新发展的不懈努力。

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随着高性能AI行业的迅猛发展与应用场景的不断拓展，AI算力需求的增长带来了更多挑战的同时，也为集成电路设备市场带来了广阔的发展空间。在此背景下，集成电路产业作为信息技术的核心，需要迈向更小尺寸且兼具更高性能的方向，助力行业突破算力“天花板”。

作为“电子元器件的创新者”，村田带来小尺寸、高品质的元件产品和多款高性能的功能元件、模块及集成解决方案等，助力集成电路器件尺寸微型化的同时实现高效性能表现，满足AI算力的持续发展需求。

●   集成封装解决方案：利用村田的独特技术，结合聚合物电容与多层基板技术生产工艺所研发的新产品，容值密度在2.3~3.0uF.mm²之间，厚度约为300-350um。独特的通孔设计可实现芯片或电源模块的垂直供电，帮助客户可以获得更多空间;优异的直流偏置及温漂表现，具有体积小巧高稳定性的特征。可用于服务器、GPU以及AI计算卡（AI Computing card）等应用。

●   无线通信模块：村田的无线通信模块种类丰富，经过大量 MPU/MCU（NXP、NVIDIA、STMicro 等）验证，减少了用户系统链接的工作量，简化无线开发和认证流程。

可用于支持物联网（IoT）、智能应用和M2M通信，适用各种外形结构，天线配置和电源，以满足各种消费类，商业或工业需求。

●   超低ESL硅电容：适用于AI服务器HPC和手机，尤其是用于先进深度学习的加速发展高规格GPU中，非常适用于封装内去除高频反谐振点的去耦和PDN设计优化。超低 ESL , ESR 和大容值降低PDN 在高频下的阻抗，支持多电源域的去耦，3D结构实现电容分布的灵活性。目前已成功地应用在一些旗舰机的APU中以及HPC的部分PDN设计参考中。

现场，村田还将展出多款能为IC带来稳定高效表现的陶瓷电容、 MEMS无源时钟等创新产品和解决方案。此外，对于当前EDA设计中测试验证环节所面临的挑战，村田深刻理解并开发了面向多应用的设计辅助工具以及器件动静态模型等，能够进一步简化设计流程，加速电路设计和仿真，显著提升设计效率，为高性能AI应用的开发和部署提供了强有力的技术支持。

村田中国产品技术专家陶佳伟先生将在12日下午的论坛中，就《低阻抗电容在封装内高效电源分配网络中的设计》进行精彩分享。面向未来，村田将依托高度的市场敏锐，以前瞻性的视角，充分发挥创新优势，助力未来高性能AI发展，为行业提供更多小型化、高性能的元器件产品和解决方案。